<MJ3401>は、電池の高容量化や負荷の増大に伴う大電流化の市場動向に対して、過充電検出電圧の高精度化により電池の使用時間を延ばすことと、過電流遮断電流の高精度化により、セットの常用電流を確保するとともに、より安全な領域で異常電流を遮断することをコンセプトとした製品です。
リチウムイオン二次電池を使用した携帯端末において、より安全性を向上させることに貢献いたします。

• メモリ内蔵によりパッケージ組立て後に過充電検出電圧、過電流遮断電流の補正が可能
  組立応力の影響が補正可能となることで、過充電検出電圧の高精度化を実現します。 FETのオン抵抗特性を過電流検出電圧にフィードバックすることで過電流遮断電流の高精度化を実現します。
• 保護ICと充放電スイッチ用FETの 2 in 1 パッケージ化
  一つのパッケージに収めることで基板設計の容易化が図れます。
• 省実装スペース
  積層型 2 in 1 パッケージでありながら低背化 (0.5mm max.)を実現。基板の薄型化に貢献します。

最大定格電圧	10V max. (保護IC部)、24V max. (FET部)
最大許容損失	1W
ドレイン電流	12A max. (DC)
動作電圧範囲	1.5〜5.5V
過充電検出電圧	4.1〜4.6V ±10mV (設定可能範囲および公差)
過放電検出電圧	2.0〜3.0V ±35mV (設定可能範囲および公差)
放電過電流遮断電流	4.0〜8.0A ±20％以下 (設定可能範囲および公差)
充電過電流遮断電流	4.0〜8.0A ±20％以下 (設定可能範囲および公差)
ソース・ソース間オン抵抗	11.0mΩ typ.
パッケージ	PLP-4-2141
外形寸法	2.1(D) × 4.1(W) × 0.5(H) mm