<MJ3401>产品的理念是针对电池高容量化及负荷增大带来的大电流化的市场动向，通过过充电检测电压的高精度化来延长电池的使用时间，并通过过电流切断电流的高精度化来确保安装的常用电流，同时在更安全的范围切断异常电流。
在使用锂离子二次电池的手机终端上，为进一步提高安全性做贡献。

• 通过内置存储器，可在封装后补偿过充电检测电压、过电流切断电流
  可补偿组装应力的影响，从而实现过充电检测电压的高精度化。将FET的导通电阻特性反馈到过电流检测电压，从而实现过电流切断电流的高精度化。
• 保护IC和充电放电开关用FET的2合1封装化
  收纳于一个封装之中，可谋求基板设计的简单化。
• 节省实装空间
  虽然是叠层型2合1封装，但实现了低高度化（0.5mm max.）。
  为基板超薄化作出贡献。

最大额定电压	10V max. （保护IC部）、24V max. （FET部）
最大容许损耗	1W
漏极电流	12A max. (DC)
工作电压范围	1.5～5.5V
过充电检测电压	4.1～4.6V ±10mV （可设定范围和公差）
过放电检测电压	2.0～3.0V ±35mV （可设定范围和公差）
放电过电流切断电流	4.0～8.0A ±20%以下 （可设定范围和公差）
充电过电流切断电流	4.0～8.0A ±20%以下 （可设定范围和公差）
源与源之间导通电阻	11.0mΩ typ.
封装	PLP-4-2141
外形尺寸	2.1(D)×4.1(W)×0.5(H) mm