■概要
近年来随着智能手机、平板电脑等产品性能的提高，消耗电流在不断增大。为了降低电池本身的电力损耗，用于充、放电控制的FET也有使用低导通电阻的倾向，经过低阻抗化的电池产品正在增加。
经过低阻抗化的电路有必要将过电流检测电压控制在低水平。
<MM3724> 是为了对应这种情况而能够将过电流检测电压设定到最小为20mV的保护IC。
同时，以前使用低导通电阻FET时难以适当调整过电流检测水平，处于发热超出预想而无法避免的状况，但是使用 <MM3724> 让过电流检测的适当设定成为可能，电池的发热对策也变得容易。
■特点
1. |
高精度过电流检测 ±15％以下 |
2. |
高精度过充电检测 ±20mV(-5℃～55℃) |
3. |
各检测阈值、延迟时间可定制。 |
■主要规格
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过充电检测 |
3.6～5.0V（5mV steps）精度±20mV |
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过放电检测 |
2.0～3.0Ｖ（50mV steps）精度±35mV |
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放电过电流检测 |
+20～+300mV（1mV steps）精度±15％以下 |
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充电过电流检测 |
-300～-20mV（1mV steps）精度±15％以下 |
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短路检测 |
0.4～0.9V（50mV steps）精度±100mV |
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消耗电流（通常使用时） |
3.0µA typ. 6.0µA max. |
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消耗电流(待机模式时) |
0.1µA max.（有过放电自锁功能时） |
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0.6µA max.（无过放电自锁功能时） |
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0V充电禁止电池电压 |
0.9V固定 or 1.3～1.8V（0.1V steps） |
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封装 |
SON-6C/SSON-6J |
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外形尺寸 |
2.0(W) × 1.6(D) × 0.55(H) mm (SON-6C)
1.4(W) × 1.4(D) × 0.55(H) mm (SSON-6J) |
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